Infineon Technologies — Trans IGBT Module N-CH 1200V 300A 1550000mW BSM200GA120DN2HOSA1

Артикул «Первый ZIP»:1416433
Артикул производителя:BSM200GA120DN2HOSA1
Доп. код производителя:SP000100725
Наличие

Наличие

Только под заказ.
Ориентировочный срок поставки: 280 дней.
Цена

Цена

Чтобы рассчитать цену, добавьте товар в корзину.

Доставка

Доставка

По всей России.
  • транспортной компанией на Ваш выбор
  • самовывоз из офиса в Санкт-Петербурге
  • бесплатная доставка до терминала “Деловые Линии” в Санкт-Петербурге
Узнайте, как мы работаем
Коммерческое предложение
Удобно для запроса одной позиции
Добавить в корзину

Товар в корзине.

Перейти в корзину
Удобно для запроса нескольких разных позиций

  • Краткое описание

    Артикул производителяBSM200GA120DN2HOSA1
    Дополнительный артикулSP000100725
    Наименование товараTrans IGBT Module N-CH 1200V 300A 1550000mW
    Описание товара200ga120dn2.pdf
    Категория товараSemiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Module
    Количество в упаковке10
    Минимальное количество в заказе10

О компании Infineon Technologies

Читать далее...