Infineon Technologies — Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW 5-Pin 62MM-1 Tray FD200R12KE3HOSA1

Наличие
Только под заказ.
Ориентировочный срок поставки: 280 дней.
Цена
Чтобы рассчитать цену, добавьте товар в корзину.
Доставка
По всей России.
- транспортной компанией на Ваш выбор
- самовывоз из офиса в Санкт-Петербурге
- бесплатная доставка до терминала “Деловые Линии” в Санкт-Петербурге
Узнайте, как мы работаем
Удобно для запроса одной позиции
Краткое описание
Артикул производителя FD200R12KE3HOSA1 Дополнительный артикул SP000083495 Наименование товара Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW 5-Pin 62MM-1 Tray Описание товара 10405ds_fd200r12ke3_3_3_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1e35.pdf Категория товара Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Module Количество в упаковке 10 Минимальное количество в заказе 10