Infineon Technologies — Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780000mW FF150R12KE3GB2HOSA1

Артикул «Первый ZIP»:1417766
Артикул производителя:FF150R12KE3GB2HOSA1
Доп. код производителя:SP000100759
Наличие

Наличие

Только под заказ.
Ориентировочный срок поставки: 280 дней.
Цена

Цена

Чтобы рассчитать цену, добавьте товар в корзину.

Доставка

Доставка

По всей России.
  • транспортной компанией на Ваш выбор
  • самовывоз из офиса в Санкт-Петербурге
  • бесплатная доставка до терминала “Деловые Линии” в Санкт-Петербурге
Узнайте, как мы работаем
Коммерческое предложение
Удобно для запроса одной позиции
Добавить в корзину

Товар в корзине.

Перейти в корзину
Удобно для запроса нескольких разных позиций

  • Краткое описание

    Артикул производителяFF150R12KE3GB2HOSA1
    Дополнительный артикулSP000100759
    Наименование товараTrans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780000mW
    Описание товара10250ds_ff150r12ke3g_3_2_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f3110.pdf
    Категория товараSemiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Module
    Количество в упаковке10
    Минимальное количество в заказе10

О компании Infineon Technologies

Читать далее...