Infineon Technologies — Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW 7-Pin 62MM-1 Tray FF200R12KT3EHOSA1

Наличие
Только под заказ.
Ориентировочный срок поставки: 280 дней.
Цена
Чтобы рассчитать цену, добавьте товар в корзину.
Доставка
По всей России.
- транспортной компанией на Ваш выбор
- самовывоз из офиса в Санкт-Петербурге
- бесплатная доставка до терминала “Деловые Линии” в Санкт-Петербурге
Узнайте, как мы работаем
Удобно для запроса одной позиции
Краткое описание
Артикул производителя FF200R12KT3EHOSA1 Дополнительный артикул SP000314729 Наименование товара Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW 7-Pin 62MM-1 Tray Описание товара 7948ds_ff200r12kt3_3_0_de-en.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b060.pdf Категория товара Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Module Количество в упаковке 10 Минимальное количество в заказе 10