LittelfuseHigh Voltage, High Gain Bipolar MOS Transistor IXBH24N170

Артикул «Первый ZIP»:1447342
Артикул производителя:IXBH24N170
Наличие

Наличие

Только под заказ.
Ориентировочный срок поставки: 168 дней.
Цена

Цена

Чтобы рассчитать цену, добавьте товар в корзину.

Доставка

Доставка

По всей России.
  • транспортной компанией на Ваш выбор
  • самовывоз из офиса в Санкт-Петербурге
  • бесплатная доставка до терминала “Деловые Линии” в Санкт-Петербурге
Узнайте, как мы работаем
Коммерческое предложение
Удобно для запроса одной позиции
Добавить в корзину

Товар в корзине.

Перейти в корзину
Удобно для запроса нескольких разных позиций
  • Краткое описание

    Артикул производителяIXBH24N170
    Наименование товараHigh Voltage, High Gain Bipolar MOS Transistor
    Описание товараtelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_24n170_datasheet.pdf.pdf
    Категория товараSemiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
    Количество в упаковке30
    Минимальное количество в заказе30

О компании Littelfuse

Читать далее...