IXBH24N170 Littelfuse High Voltage, High Gain Bipolar MOS Transistor
Наличие
Только под заказ.
Ориентировочный срок поставки: 168 дней.
Цена
Чтобы рассчитать цену, добавьте товар в корзину.
Доставка
По всей России.
- транспортной компанией на Ваш выбор
- самовывоз из офиса в Санкт-Петербурге
- бесплатная доставка до терминала “Деловые Линии” в Санкт-Петербурге
Узнайте, как мы работаем
Удобно для запроса одной позиции
Краткое описание
Артикул производителя IXBH24N170 Наименование товара High Voltage, High Gain Bipolar MOS Transistor Описание товара telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_24n170_datasheet.pdf.pdf Категория товара Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component Количество в упаковке 30 Минимальное количество в заказе 30
Товар на сайте производителя: Littelfuse IXBH24N170
Ответ от производителя может занять до 5 дней и более.
