NXP Semiconductors — RF Power GaN Transistor A2G35S200-01SR3

Наличие
Только под заказ.
Ориентировочный срок поставки: 154 дня.
Цена
Чтобы рассчитать цену, добавьте товар в корзину.
Доставка
По всей России.
- транспортной компанией на Ваш выбор
- самовывоз из офиса в Санкт-Петербурге
- бесплатная доставка до терминала “Деловые Линии” в Санкт-Петербурге
Узнайте, как мы работаем
Удобно для запроса одной позиции
Краткое описание
Артикул производителя A2G35S200-01SR3 Дополнительный артикул 935320919118 Наименование товара RF Power GaN Transistor Описание товара 24a2g35s200-01s.pdf Категория товара Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - RF MOSFET Количество в упаковке 250 Минимальное количество в заказе 250