ON Semiconductor — Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube HGT1S10N120BNS

Артикул «Первый ZIP»:1652023
Артикул производителя:HGT1S10N120BNS
Наличие

Наличие

Только под заказ.
Ориентировочный срок поставки: 112 дней.
Цена

Цена

Чтобы рассчитать цену, добавьте товар в корзину.

Доставка

Доставка

По всей России.
  • транспортной компанией на Ваш выбор
  • самовывоз из офиса в Санкт-Петербурге
  • бесплатная доставка до терминала “Деловые Линии” в Санкт-Петербурге
Узнайте, как мы работаем
Коммерческое предложение
Удобно для запроса одной позиции
Добавить в корзину

Товар в корзине.

Перейти в корзину
Удобно для запроса нескольких разных позиций

  • Краткое описание

    Артикул производителяHGT1S10N120BNS
    Наименование товараTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
    Описание товараhgtp10n120bn-d.pdf
    Категория товараSemiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
    Количество в упаковке50
    Минимальное количество в заказе50

О компании ON Semiconductor

Читать далее...