SIPLUS S7-300 CPU314 -25... +70 ГРАД. C WITH CONFORMAL COATING BASED ON 6ES7314-1AG14-0AB0 . CPU WITH MPI INTERFACE, INTEGRATED 24V DC POWER SUPPLY, 128 KBYTE WORKING MEMORY, MICRO MEMORY CARD NECESSARY
SIPLUS S7-300, CPU 315-2DP, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, В СООТВЕТСТВИИ С EN50155 T1 KAT 1 KL, НА ОСНОВЕ 6ES7315-2AH14-0AB0. CPU С ИНТЕРФЕЙСОМ MPI, ВСТРОЕННЫМ ИСТОЧНИКОМ ПИТАНИЯ =24 В, 256 КБАЙТ РАБОЧЕЙ ПАМЯТИ 2. ИНТЕРФЕЙС DP-MASTER/SLAVE, ДЛЯ РАБОТЫ НЕОБХОДИМА MMC
SIPLUS S7-300, CPU 315-2DP, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ 6ES7315-2AH14-0AB0. CPU С ИНТЕРФЕЙСОМ MPI, ВСТРОЕННЫМ ИСТОЧНИКОМ ПИТАНИЯ =24 В, 256 КБАЙТ РАБОЧЕЙ ПАМЯТИ 2. ИНТЕРФЕЙС DP-MASTER/SLAVE, ДЛЯ РАБОТЫ НЕОБХОДИМА MMC
SIPLUS S7-300, ЦПУ CPU315-2PN/DP, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, СО СТОЙКОСТЬЮ СОГЛАСНО EN50155 T1 CAT 1 CL A/B, НА ОСНОВЕ 6ES7315-2EH14-0AB0. ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ПРОЦЕССОР С 384 КБАЙТАМИ РАБОЧЕЙ ПАМЯТИ, 1. ИНТЕРФЕЙС MPI/DP 12МБИТ/С, 2. ИНТЕРФЕЙС ETHERNET PROFINET, С 2Х-ПОРТОВЫМ КОММУТАТОРОМ, МИКРОКАРТА ПАМЯТИ (MMC) ЗАКАЗЫВАЕТСЯ ОТДЕЛЬНО
SIPLUS S7-300, ЦПУ CPU315-2PN/DP, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ 6ES7315-2EH14-0AB0. ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ПРОЦЕССОР С 384 КБАЙТАМИ РАБОЧЕЙ ПАМЯТИ, 1. ИНТЕРФЕЙС MPI/DP 12МБИТ/С, 2. ИНТЕРФЕЙС ETHERNET PROFINET, С 2Х-ПОРТОВЫМ КОММУТАТОРОМ, МИКРОКАРТА ПАМЯТИ (MMC) ЗАКАЗЫВАЕТСЯ ОТДЕЛЬНО
SIPLUS S7-300, ЦПУ CPU312C, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, СОГЛАСНО EN50155 T1 CAT 1 CL A, НА ОСНОВЕ ЦПУ 6ES7312-5BF04-0AB0. КОМПАКТНОЕ ЦПУ С MPI, 10 DI/6 DO, 2 БЫСТРЫМИ СЧЁТЧИКАМИ (10 КГЦ), ВСТРОЕННЫЙ БЛОК ПИТАНИЯ =24 В, 64 КБАЙТ РАБОЧЕЙ ПАМЯТИ, ФРОНТШТЕКЕР (1
SIMOREG DC MASTER С МИКРОПРОЦЕСС. УПРАВЛ-ЕМ, ДЛЯ 1- КВАДРАНТНОГО ПРИВОДА B6C. ПИТАНИЕ 3AC 690В, 597A. УПРАВЛЯЕМЫЙ ВЫПРЯМ-ЛЬ ВОЗБУЖДЕНИЯ D830/720 MRE-GEEF6S22 ВЫХОД DC 830V, 720A. ВЫХОД US-RATING:DC830V, 524А. ВОЗБУЖДЕНИЕ: ВХОД 460V, ВЫХОД 375V, 30A
SIMOREG DC MASTER С МИКРОПРОЦЕСС. УПРАВЛ-ЕМ, ДЛЯ 1- КВАДРАНТНОГО ПРИВОДА B6C. ПИТАНИЕ 3AC 690В, 788A УПРАВЛЯЕМЫЙ ВЫПРЯМ-ЛЬ ВОЗБУЖДЕНИЯ D830/950 MRE-GEEF6S22 ВЫХОД DC 830V, 950A. ВЫХОД US-RATING:DC830V, 667А. ВОЗБУЖДЕНИЕ: ВХОД 460V, ВЫХОД 375V, 30A
SIMOREG DC MASTER С МИКРОПРОЦЕСС. УПРАВЛ-ЕМ, ДЛЯ 1- КВАДРАНТНОГО ПРИВОДА B6C. ПИТАНИЕ 3AC 690В, 1244A. УПРАВЛЯЕМЫЙ ВЫПРЯМ-ЛЬ ВОЗБУЖДЕНИЯ D830/1500 MRE-GEEF4S22 ВЫХОД DC 830V, 1500A. ВЫХОД US-RATING:DC830V, 1100А. ВОЗБУЖДЕНИЕ: ВХОД 460V, ВЫХОД 375V, 40A
SIMOREG DC MASTER С МИКРОПРОЦЕСС. УПРАВЛ-ЕМ, ДЛЯ 1- КВАДРАНТНОГО ПРИВОДА B6C. ПИТАНИЕ 3AC 690В, 1658A. УПРАВЛЯЕМЫЙ ВЫПРЯМ-ЛЬ ВОЗБУЖДЕНИЯ D830/2000 MRE-GEEF4S22 ВЫХОД DC 830V, 2000A. ВЫХОД US-RATING:DC830V, 1504А. ВОЗБУЖДЕНИЕ: ВХОД 460V, ВЫХОД 375V,40A
SIPLUS S7-300, ЦПУ CPU313C, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, СОГЛАСНО EN50155 T1 CAT 1 CL A, НА ОСНОВЕ ЦПУ 6ES7313-5BG04-0AB0. КОМПАКТНОЕ ЦПУ С MPI, 24 DI/16 DO, 4AI, 2AO 1 PT100, 3 БЫСТРЫМИ СЧЁТЧИКАМИ (30 КГЦ), ВСТРОЕННЫЙ БЛОК ПИТАНИЯ =24 В, 128 КБАЙТ РАБОЧЕЙ ПАМ
SIPLUS S7-300, ЦПУ CPU313C-2DP, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, СОГЛАСНО EN50155 T1 CAT 1 CL A, НА ОСНОВЕ ЦПУ 6ES7313-6CG04-0AB0. КОМПАКТНОЕ ЦПУ С MPI, 16 DI/16 DO, 3 БЫСТРЫМИ СЧЁТЧИКАМИ (30 КГЦ), ВСТРОЕННЫЙ БЛОК ПИТАНИЯ =24 В, 128 КБАЙТ РАБОЧЕЙ ПАМЯТИ, ФРОНТШТЕК
SIPLUS S7-300, ЦПУ CPU313C-2DP, ДЛЯ ТЯЖЁЛЫХ УСЛОВИЙ, РАБ. ТЕМП. -25 ... +70°C, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ ЦПУ 6ES7313-5BG04-0AB0. КОМПАКТНОЕ ЦПУ С MPI, 16 DI/16 DO, 3 БЫСТРЫМИ СЧЁТЧИКАМИ (30 КГЦ), ВСТРОЕННЫЙ БЛОК ПИТАНИЯ =24 В, 128 КБАЙТ РАБОЧЕЙ ПА