SIPLUS ET200S, ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ IM151-8F PN/DP, РАБ. ТЕМП. -25 ... +60°C, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7151-8FB01-0AB0. ЦПУ ДЛЯ ET200S, 256 КБ РАБОЧЕЙ ПАМЯТИ, ВСТР. ИНТЕРФЕЙС PROFINET (С ТРЕМЯ ПОРТАМИ RJ45), IO-CONTROLLER, РАБОТА БЕЗ БАТ
SIPLUS ET200S, ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ IM151-1 STANDARD ДЛЯ ET 200S, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА -25.. . +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7151-1AA05-0AB0
SIPLUS ET200S, ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ IM151-3 PROFINET ДЛЯ ET200S, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7151-3AA20-0AB0
SIPLUS ET200S, IM151-3 PN HF, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ 6ES7151-3BA23-0AB0. ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ, ПЕРЕДАЧА ДАННЫХ ДО 100МБИТ/С, МАКС ДО 63 ПЕРИФЕРИЙНЫХ МОДУЛЕЙ, ДО 2 М ШИРИНА СТАНЦИИ; 2 X ШИННЫХ ИНТЕРФЕЙСА, ПОДКЛЮЧЕНИЕ ЧЕРЕЗ RJ45, ВКЛ. ТЕРМИНАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ
SIPLUS DP PM-E =24…48В/ ~24…230В: МОДУЛЬ КОНТРОЛЯ ПИТАНИЯ ВНЕШНИХ ЦЕПЕЙ ПОТЕНЦИАЛЬНОЙ ГРУППЫ ET 200S С ЭЛЕКТРОННЫМИ МОДУЛЯМИ; С ДИАГНОСТИКОЙ И БУФЕРИЗАЦИЕЙ, ТЕМП. ДИАПАЗОН ОТ -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА БАЗЕ МОДУЛЯ 6ES7138-4CB11-0AB0
SIMOREG DC MASTER ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ С МИКРОПРОЦЕССОРНЫМ УПРАВЛ-ЕМ ДЛЯ 4-Х КВАДРАНТНОГО ПРИВОДА СОЕДИНЕНИЕ (B6) A (B6) C ВХОД: 3-Х ФАЗНОЕ AC 950V, 1824A УПРАВЛЯЕМЫЙ ВЫПРЯМ-ЛЬ ВОЗБУЖДЕНИЯ D1000/2200 MREQ-GEGF4V62 ВЫХОД: DC 1000V, 2200A OUTPUT US-RATING:DC1000V, 1588A FIELD-INP. 460V,-OUTP. 375V,85A
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВВОДА EM 4DI HF, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7131-4BD01-0AB0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВВОДА EM 8 DI ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7131-4BF00-0AA0
SIPLUS ET200S, МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА 2DO HF ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7132-4BB31-0AB0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА EM 4DO STANDARD ДЛЯ ET 200S, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7132-4BD02-0AA0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА EM 4 DO =24В/2А ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7132-4BD32-0AA0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА EM 8 DO ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7132-4BF00-0AA0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ РЕЛЕЙНОГО ВЫВОДА EM 2 RO =24В-AC23 ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7132-4HB01-0AB0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ РЕЛЕЙНОГО ВЫВОДА EM 2 DO RLY =24…48В ~230В/5А ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7132-4HB10-0AB0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ EM 2DO RLY =24-48 В ~230 В/5A, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25 ... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7132-4HB12-0AB0, 5 ШТ. В УПАКОВКЕ, =24В-48В/5A, ~24В-230В/5A, ШИРИНА 15 ММ, FIRST-UP СИГНАЛ